存储涨价叠加国产算力催化！科创芯片设计ETF永赢盘中涨超4.5%
11月12日，上证科创板芯片设计主题指数开盘走强，盘中涨超4.5%。截至10:20，指数前10大成分股中寒武纪涨超10%，海光信息、佰维存储涨幅领先。A股GPU、半导体设备、先进封装、HBM板块表现亮眼。
消息面上，存储市场的新一轮涨价，这轮涨价主要集中在DRAM合约端和企业级SSD原厂/渠道端，并非消费级NAND的全面跟涨，主要需求还是来自大头还是算力中心TrendForce的数据量化了这一“挤出”程度：三大原厂HBM晶圆投片占DRAM总投片量的比重，从2025年底的约18%升至2026年底的22%；而HBM位元供给占总DRAM位元供给的比例，同期仅从8%升至9%。近四分之一的晶圆被配置到了只产出不到十分之一位元供应的产品上，通用DRAM的供给缺口因此不是需求放缓能够自然弥合的。业内判断厂家产能排到2028年，短期新增产能难以扭转当前由产品结构造成的缺口，涨价预期仍在延续。
11 月 11 日，北京市印发《北京市具身智能机器人产业高质量发展行动方案（2026—2028 年）》，明确提出新增建设具身智能专用算力集群，并加强算力保障。方案中第一大工程就是具身智能跃升工程。具身智能基础模型整体达到国际一流水平。探索高质量数据供给范式。形成覆盖不少于100个真实场景、超过100万小时的高质量数据。新建超过5万P具身智能专用算力集群。构建具身智能模型权威评测体系。
科创芯片设计ETF永赢（589420）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数算力含量48.47%、存储芯片含量27.01%、GPU含量28.07%。截至2026年10月22日，指数前十大成分股权重合计占比近60%，前十大权重股分别包括澜起科技、海光信息、寒武纪、睿创微纳、佰维存储、芯原股份、晶晨股份、思特威、普冉股份、翱捷科技，涵盖国产存储芯片、GPU、算力龙头（数据来源：wind，个股仅作指数前十大权重股举例，不构成投资建议）。
注：上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）于2024年7月26日上市，存储与算力含量数据来自wind，截至2026/11/4，计算方式为上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）指数成分股占对应行业指数/热门概念指数含量加权占比。对比的指数为算力（399363.SZ）、存储芯片（980138.CNI）、GPU（8841701.WI）。
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