存储涨价与国产算力共振 半导体设备ETF易方达+5.52%
10时3分，半导体设备ETF易方达（159558）上涨5.52%报0.879元，今开0.832元较昨收0.833元微幅低开，开盘后价格中枢快速上移，盘中最高上探0.881元、最低下探0.827元，最新价距盘中高点仅0.002元，振幅约6.48%，成交额约6.34亿元。
半导体设备板块今日集体走强，驱动因素主要有以下几方面。首先，闪迪11月10日将NAND合约价上调50%，为年内第三次涨价，机构判断DRAM与NAND供需缺口将延续至2028年，存储超级周期的价格信号再度强化，原厂扩产意愿与资本开支预期同步上修，设备采购作为扩产第一环直接受益，同时中国国际半导体博览会今日在北京开幕，产业链关注度进一步提升。其次，全球主要原厂产能排期已排至2029年，SK海力士DRAM与HBM产能未来三年接近饱和，产能供不应求锁定长期扩产周期，设备订单能见度延伸至数年维度；国内长鑫长存等存储原厂扩产进程持续，国产设备商份额与订单双升；国产1.6T光传输技术取得突破，光模块与光芯片的产能扩张同样依赖光刻、刻蚀、薄膜沉积等设备环节，光通信与存储两大景气主线共同拉动设备需求。再次，板块内翔港科技、剑桥科技、源杰科技等涨停或大涨，光通信龙头订单未有不利变化，行业景气获正面确认，下游需求确定性向设备端传导，扩产资本开支信心增强。此外，隔夜费城半导体指数大涨5.66%，CoreWeave披露财报并上调指引后大涨24.71%，外围科技情绪回暖，英伟达治理风波反而强化国产算力与设备的替代叙事。
机构认为，券商分析指出，半导体设备的配置逻辑为“涨价周期+扩产能见度+国产替代”三重驱动：NAND单月涨50%与产能排期至2029锁定设备订单的长期确定性，光通信与存储双主线共同拉动设备需求，国产算力生态与博览会催化强化产业链关注度；经历前期调整后，设备板块在景气与事件共振下弹性充分释放。另一机构判断DRAM与NAND的供需缺口将延续至2028年，原厂扩产意愿与资本开支预期同步上修，设备采购作为扩产第一环，订单弹性直接受益涨价周期传导。
关联产品：半导体设备ETF易方达（159558）