存储涨价与光通信共振 科创芯片ETF易方达涨5.01%
截至2026年11月12日10时3分，科创芯片ETF易方达（589130）涨5.01%报1.11元，今开1.057元与昨收持平，盘中最高触及1.112元、最低下探1.055元，成交额约7647.8万元。
科创芯片板块今日集体走强，驱动因素主要有以下几方面。首先，事件催化密集。韩国总统李在明表示三星在韩国牙山投资6万亿韩元建设HBM芯片封装工厂，后续还将进行约40万亿韩元先进设备投资；闪迪11月10日将NAND合约价上调50%，为年内第三次涨价；国产1.6T光传输技术取得重大突破，光通信砍单传闻获澄清，中国国际半导体博览会今日开幕进一步聚焦国产存储与算力芯片进展。其次，产业基本面景气持续验证。DRAM与NAND供需缺口将延续至2028年，全球主要原厂产能排期已卖到2029年，SK海力士DRAM与HBM产能未来三年接近饱和，消费级存储同步酝酿新一轮涨价；光模块上游光芯片受益1.6T代际升级，高速光芯片需求直接拉动，芯片设计与制造环节量价齐升。再次，板块内个股表现活跃，大普微、沐曦股份、盛科通信、寒武纪、通富微电、伟测科技等集体跟涨，翔港科技涨停，易中天、剑桥科技、源杰科技等光通信龙头涨停或大涨，存储与算力方向形成共振。此外，隔夜费城半导体指数大涨5.66%，A股芯片资产在存储涨价与国产算力双主线带动下走出强势独立行情。
机构认为，券商分析指出，科创芯片的配置逻辑为“存储涨价+产能错位+光芯片升级”三重驱动：NAND单月涨50%与供需缺口延续至2028年锁定涨价周期，产能排期至2029延伸订单能见度，1.6T光传输突破拉动高速光芯片需求；另有机构分析，存储超级周期的涨价信号全面强化，芯片设计板块中存储相关公司业绩弹性直接受益价格上行。经历全球科技股调整后，芯片板块估值修复叠加景气兑现，弹性在硬科技方向中居前。
关联产品：科创芯片ETF易方达（589130）