存储超级周期与国产算力催化共振 科创50ETF易方达涨3.67%
截至11月12日10时3分，科创50ETF易方达（588080）现涨3.67%，最新价报1.384元，创盘中新高；较昨收1.335元上涨0.049元，开盘报1.333元，盘中最低下探1.330元，最高触及1.384元，成交额约10.24亿元，已突破10亿元关口，量能持续放大。
科创50板块今日集体走强，驱动因素主要有以下几方面。首先，产业事件与政策催化密集落地，中国国际半导体博览会今日在北京开幕，产业链最新技术与订单动向获得市场聚焦，算力巨头超聚变创业板IPO今日上会拟募资80亿元，为国产AI算力生态提供估值对标锚。其次，存储超级周期全面爆发形成强业绩支撑，闪迪将NAND合约价单月上调50%，为年内第三次涨价，机构预计DRAM与NAND供需缺口将延续至2028年，全球主要原厂产能排期已卖到2029年，SK海力士DRAM与HBM产能未来三年接近饱和，存储量价齐升周期拓宽盈利预期。再次，光通信主线持续催化，国产1.6T光传输技术取得重大突破，光通信砍单传闻获澄清，板块内易中天、剑桥科技等龙头涨停，隔夜CoreWeave业绩指引上调后大涨24.71%，AI云服务需求获验证，光模块与光芯片景气度共振确认。此外，隔夜费城半导体指数大涨5.66%、纳指涨1.60%，外围AI交易热情重燃；大盘背景方面上证指数开盘小幅下跌，科创50逆势高开，硬科技一篮子资产承接资金回流特征明显。
机构认为，券商分析指出，科创50的配置逻辑为“存储周期+光通信景气+硬科技分散配置”三重驱动，NAND合约价单月上调50%与产能排期至2029年锁定业绩能见度，国产1.6T光传输技术突破与砍单澄清强化光通信主线，一篮子硬科技资产分散价值凸显；机构同时判断，DRAM与NAND供需缺口将延续至2028年，经历前期全球科技股调整后，科创50估值与筹码结构出清充分，叠加存储与光通信双主线景气持续验证，反弹阶段的进攻弹性与持续性均较为突出。
关联产品：科创50ETF易方达（588080）