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继续领涨！台积电拟规划生产3D DRAM先进存储芯片，科创芯片设计ETF国联安588780跟踪指数强势涨超2%
日期: 2026-11-09 10:02来源: 东方财富证券域名: finance.eastmoney.com
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重要性：关注级 · 70·对象槽：sector_style·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:芯片、sector:存储、sector:AI、sector:算力、sector:数据中心、sector:证券·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-11-09 10:03:01·信任分层：优先源
截至2026年11月9日09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.13%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手0.93%，成交764.93万元。成分股力芯微上涨5.80%，复旦微电上涨4.72%，峰岹科技上涨4.43%，寒武纪，芯原股份等个股跟涨。
消息面上，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进存储芯片制造，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额。知情人士称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，着手规划生产一种名为3DDRAM的先进存储芯片——该架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，被视为应对AI算力对高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。
国联民生证券发布研报称，持续看好本轮存储超级周期，AI需求高景气、供给约束强化、长协锁定盈利、股东回报提升共同推动盈利中枢上移。需求端，AI训练向推理及AgenticAI加速演进，不仅持续拉动HBM需求，也显著提升服务器DRAM和企业级SSD配置需求，存储需求由单一HBM向更广泛的数据中心存储扩散；同时，先进制程、封测及产能切换约束使供给扩张仍相对有限，DRAM和NAND价格在高基数下仍有望延续上涨，价格上涨持续性明显强于传统周期。AI正在推动存储行业由强周期向“高景气+高确定性+高股东回报”重估，当前仍处于超级周期盈利预期上修阶段，持续看好存储产业链