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铭芯启睿首款1Gb RRAM芯片完成流片 采用1T4R存储结构
日期: 2026-10-14 14:02来源: 界面新闻域名: finance.eastmoney.com
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重要性：背景级 · 50·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:芯片、sector:存储·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-10-14 14:03:07·信任分层：优先源
10月14日，界面新闻获悉，铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。据悉，1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度