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长鑫科技：拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目
日期: 2026-09-28 21:29来源: 财联社电报域名: cls.cn
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【长鑫科技：拟241亿元、108亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目】财联社9月28日电，长鑫科技(688825.SH)公告称，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元