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银河微电：拟投资10.78亿元建设高端核心器件产业化项目
日期: 2026-09-21 17:51来源: 财联社电报域名: cls.cn
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重要性：背景级 · 45·对象槽：unmatched·对象关系：stock_material·影响对象：sector:半导体、sector:芯片、sector:集成电路、sector:新能源、sector:储能、stock:半导体·来源/栏目：财联社·抓取时间：2026-09-21 17:54:02·信任分层：优先源
【银河微电：拟投资10.78亿元建设高端核心器件产业化项目】财联社9月21日电，银河微电(688689.SH)公告称，公司拟以自有或自筹资金投资10.78亿元实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。该项目系公司已披露的“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续，主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。
本项目所涉产品，是指采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景，具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半导体器件；主要包含SGTMOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件