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冲击七连红！长鑫第五代DRAM平台正式量产，科创芯片设计ETF国联安588780跟踪指数涨超1%
日期: 2026-09-21 10:26来源: 东方财富证券域名: finance.eastmoney.com
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重要性：关注级 · 70·对象槽：sector_style·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:半导体、sector:芯片、sector:存储、sector:证券、stock:半导体、stock:消费电子·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-09-21 10:27:01·信任分层：优先源
截至2026年9月21日09:35，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.19%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手0.87%，成交849.20万元。成分股聚辰股份上涨5.03%，杰华特上涨4.81%，澜起科技上涨3.71%，佰维存储，成都华微等个股跟涨。
半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。
消息面上，长鑫科技在世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台实现量产，基于该平台打造的24GBLPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%。
国盛证券研报指出，长鑫科技作为国内唯一实现12英寸DRAM规模化量产的龙头企业，已完成从DDR4到DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5X/6的全产品布局，G5平台量产标志着其工艺代差与国际头部厂商进一步缩小，成本优势的显现将加速国产DRAM在消费电子、服务器、汽车电子等领域的渗透率提升