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三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产
日期: 2026-09-08 14:26来源: 界面新闻域名: finance.eastmoney.com
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重要性：背景级 · 50·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:芯片·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-09-08 14:27:02·信任分层：优先源
9月8日，三星 电子 与 阿斯麦 （ASML）宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将 阿斯麦 高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。
三星表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施