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消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺
日期: 2026-09-07 12:59来源: 财联社电报域名: cls.cn
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重要性：背景级 · 49·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:芯片·来源/栏目：财联社·抓取时间：2026-09-07 13:03:02·信任分层：优先源·转载来源：东方财富
【消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺】《科创板日报》7日讯，SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存，该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露，SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右，预计第三季度将升至24%左右，第四季度将达到34%左右。
明年第一季度，1c nm的市场份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（33%左右），成为主流工艺。（ChosunBiz）