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三星正为英伟达开发8层HBM4E
日期: 2026-08-31 13:18来源: 财联社电报域名: cls.cn
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【三星正为英伟达开发8层HBM4E】《科创板日报》31日讯，据报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。（首尔经济日报）