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SK海力士在美国印第安纳州的40亿美元先进内存封装厂开始建设
日期: 2026-08-27 23:10来源: 财联社电报域名: cls.cn
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重要性：背景级 · 50·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:芯片、sector:存储·来源/栏目：财联社·抓取时间：2026-08-28 00:30:01·信任分层：优先源
【SK海力士在美国印第安纳州的40亿美元先进内存封装厂开始建设】财联社8月27日电，SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设；将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地