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中长期存储产能释放节奏仍偏谨慎 行业有望维系供不应求态势
日期: 2026-08-21 08:45来源: 财联社域名: finance.eastmoney.com
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重要性：背景级 · 50·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:芯片、sector:存储、sector:证券·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-08-21 08:45:01·信任分层：优先源
根据 摩根士丹利 的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。 摩根士丹利 表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。
财信证券何晨认为2026年存储原厂扩产资源集中倾斜高附加值HBM产品，传统DRAM、NAND闪存有效供给增量有限，行业整体供需缺口持续扩大，合约价格稳步上行，行业整体进入量利齐升的兑现周期，且中长期存储产能释放节奏仍偏谨慎，行业有望维系供不应求态势。
据财联社主题库显示，相关上市公司中：
长鑫科技 深耕DRAM 存储芯片 的设计与制造，通过持续的研发投入与技术探索，已掌握了多项达到国际先进水平的工艺和产品核心技术。
有研新材 12英寸高纯钽靶材适配3DNAND/DRAM/HBM先进存储，已应用于国内外多家头部芯片企业