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谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片
日期: 2026-08-21 14:03来源: 科创板日报域名: finance.eastmoney.com
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重要性：背景级 · 53·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:芯片、sector:存储·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-08-21 14:03:02·信任分层：优先源
近日，3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈