资讯池
台积电研发二维晶体管新技术 突破先进半导体材料界面瓶颈
日期: 2026-08-07 11:14来源: 界面新闻域名: stock.eastmoney.com
溯源
重要性：背景级 · 47·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:半导体、sector:芯片、stock:半导体材料、stock:半导体·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-08-07 11:15:02·信任分层：优先源
8月7日消息，台湾阳明交通大学与 台积电 企业研发团队在二维 半导体 领域取得新进展，提出一种原子级界面工程技术，可在缩小晶体管尺寸的同时保持高电气性能，有望推动下一代低功耗 半导体 技术发展。相关研究成果发表于《自然· 电子 学》。
研究团队表示，二维 半导体 材料仅有单原子厚度，具备优异电学特性，被视为超越硅基芯片限制的潜在材料。但在制造晶体管时，超薄绝缘层与半导体之间的界面容易产生缺陷，导致 电子 散射，使晶体管性能提升面临瓶颈。
研究人员通过在单层二硫化 钼 （MoS）半导体表面构建超薄氧化 铝 界面层，再结合高介电常数氧化铪栅介质，改善材料界面质量，使晶体管同时实现更强电控能力和较高载流子迁移性能