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SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 导入晶圆键合技术
日期: 2026-08-07 19:33来源: 科创板日报域名: finance.eastmoney.com
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重要性：背景级 · 53·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:AI·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-08-07 19:33:02·信任分层：优先源
SK海力士 在其FMS 2026峰会新闻稿中确认，其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是 SK海力士 首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士 宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘