近一周反弹超14%！科创芯片设计ETF永赢盘中涨超2%，存储或迎独立行情

8月7日，科创芯片设计ETF永赢（589420）盘中涨超2%，截止当日10:50，近一周已经反弹超14%。前十大成分股中普冉股份、澜起科技、东芯股份、佰维存储涨超2%。隔夜标普纳指两连跌，美股部分存储芯片股财报后重挫，闪迪和西部数据分别收跌近7%和逾10%。

消息面上，马斯克近期表示存储需求增速，是供应的10倍，投资者不应为内存芯片的需求而感到的担忧，AI热潮中最大的瓶颈之一是内存。他表示，内存芯片的需求增长速度远远超过了供应增速。

苹果及其供应商也正在紧急抢购足够的内存芯片，以备即将发布的新款iPhone机型之用。距离备受期待的可折叠iPhone Ultra以及iPhone 18和iPhone 18 Pro预计亮相的时间已不到六周，苹果组装供应链正加快协调DRAM内存芯片。

科创芯片设计ETF永赢（589420）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数算力含量超55%、存储芯片含量超28%。截至2026年8月4日，指数前十大成分股权重合计达65.3%，前十大权重股分别包括海光信息、澜起科技、寒武纪、佰维存储、芯原股份、睿创微纳、盛科通信-U、晶晨股份、普冉股份、东芯股份，涵盖国产存储芯片、GPU、算力龙头（数据来源：wind，个股仅作指数前十大权重股举例，不构成投资建议）。

注：存储与算力含量数据来自wind，截至2026/8/4，计算方式为上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）指数成分股占对应行业指数/热门概念指数含量加权占比。对比的指数为算力（399363.SZ）、存储芯片（980138.CNI）。

基金有风险，投资需谨慎。上述产品风险等级：中高风险（R4）。观点仅供参考，不构成投资建议

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