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【风口研报·公司】三星公布全新3D内存路线图，对该环节需求量和性能要求呈指数级增长，公司核心工艺可助力3DNAND扩产，有望充分享受这波存储大周期
日期: 2026-08-05 13:02来源: 财联社电报域名: cls.cn
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三星公布全新3D内存路线图，有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度。分析师认为，随着3D堆叠存储的发展，DRAM未来亦向3DDRAM发展，对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，公司作为国内设备龙头，有望充分享受这波存储扩产大周期