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新一轮反攻号角吹响,科创芯片设计ETF国联安588780涨超3%

日期: 2026-08-04 10:57来源: 东方财富证券域名: finance.eastmoney.com
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重要性:关注级 · 70·对象槽:sector_style·对象关系:sector_transmission·影响对象:sector:芯片、sector:存储、sector:AI、sector:证券·来源/栏目:东方财富·抓取时间:2026-08-04 10:57:02·信任分层:优先源

截至2026年8月4日09:56,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨3.28%,盘中换手4.95%,成交5250.51万元。成分股芯朋微上涨8.78%,新相微上涨8.51%,思瑞浦上涨7.46%,芯原股份,杰华特等个股跟涨。

消息面上,存储芯片超级周期可能由原先预期的2028年延长至2029年至2030年。三星电子、SK海力士和美光虽正大幅增加AI相关产能投资,但从建设工厂、安装设备到形成实际产出通常需要3至5年,短期内供应紧张难以缓解。

国联民生证券指出,过去市场对存储板块的定价模式相对固化,资金始终博弈单轮价格上涨带来的阶段性利润峰值,一旦行情上行至高位便提前预判周期回落。但全球头部存储厂商经营策略全面调整,行业整体估值框架迎来系统性切换

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