又一家大厂警告！ 宇瞻科技CEO称明年全球DRAM供应量将下降70%
人工智能 需求激增导致全球内存供应紧张，用于 数据中心 的 高带宽内存 HBM不断挤占传统DRAM的产能，这让业内警告DRAM与企业级SSD又贵又缺。
台湾 存储芯片 企业宇瞻科技（Apacer）首席执行官张家騉指出，明年全球传统DRAM供应量将急剧下降，只能交付今年目标产能的30%，这意味着明年实际供应量可能同比下降70%。
这与 SK海力士 首席执行官郭鲁正上周的警告一致。郭鲁正表示，即使在内存市场已经开始调整，但未来仍可能更加艰难，从供应角度来看，2027年将是该行业历史上最糟糕的一年。
还有一份报告预测，2027年至2028年内存相关的晶圆供应预计将以每年12%的速度增长，带动内存以20%的速度增长，但其中约一半将用于HBM。因此，非HBM内存供应年增长率仅有15%，而需求的年增长率却有22%。
这一预测代表着DRAM芯片将继续困在供小于求的困境中，相关产品价格将持续居高不下，这对 消费电子 产业来说将是噩梦般的末日。
内存周期
张家騉此前指出，科技巨头快速兴建 人工智能 服务器导致HBM需求持续增长，因此三星 电子 、 SK海力士 以及美光更倾向追求高毛利的HBM业务；另一方面，企业级SSD也因为大语言模型、模型推理等新技术带动需求升温，形成内存、固态硬盘双双缺货的局面。
内存和固态硬盘对于 消费电子 来说是关键零部件，个人电脑、手机等成本敏感型产品的制造商已经开始缩减采购，而这一局面预计至少持续到2027年上半年。
三星 电子 韩国平泽工厂P5 Fab 1预计在2027年7月投产，P5 Fab 2以及龙仁新基地则均提前至2029年投产； SK海力士 也将位于龙仁的Y1厂和Y2厂提前投产，分别提前至2027年2月和2028年下半年。
业内指出，新产能的加入通常是 半导体 上升周期接近尾声的重要指标，DRAM的景气高点可能在2028年下半年， 人工智能 数据中心 的资本支出则可能在2029年进入平台期。
而在此之前，业内认为 消费电子 行业唯一可能出现的转机将来自于中国内存制造商长鑫科技的3D DRAM技术的商业化。这种方法能够在不缩小水平节点尺寸的情况下，最大限度地提高原始比特密度和存储容量