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【电报解读】三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，机构测算HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍，这家公司产品已通过国内主要半导体存储器件厂商验证
日期: 2026-07-27 19:10来源: 财联社电报域名: cls.cn
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三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，机构测算HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍，这家公司产品已通过国内主要半导体存储器件厂商验证并取得了批量销售业绩，另一家应用于存储芯片测试的探针台正处于客户端验证阶段