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科学家开发出芯片堆叠新工艺 将高带宽存储器集成密度翻两番
日期: 2026-07-14 07:12来源: 财联社电报域名: cls.cn
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重要性：背景级 · 50·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:半导体、sector:芯片、sector:存储、sector:AI、sector:人工智能、stock:半导体·来源/栏目：财联社·抓取时间：2026-07-14 07:39:01·信任分层：优先源
【科学家开发出芯片堆叠新工艺 将高带宽存储器集成密度翻两番】财联社7月14日电，韩国工业技术研究所和浦项科技大学科学家开发出一项新工艺，能稳定堆叠10余片超薄半导体芯片，由此实现了约4倍于商用高带宽存储器（HBM）的集成密度。这一突破有望缓解人工智能（AI）面临的存储瓶颈。相关论文发表于新一期《工程成果》杂志