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铠侠闪迪BiCS10（332 层）3D NAND闪存进入出样阶段

日期: 2026-07-03 08:20来源: 财联社电报域名: cls.cn

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【铠侠-闪迪BiCS10（332 层）3D NAND闪存进入出样阶段】《科创板日报》3日讯，铠侠-闪迪联盟宣布，由双方合作开发的第10代BiCS FLASH 3D闪存现已启动样品交付，首款产品为1Tb TLC。BiCS10采用332层堆叠设计，由铠侠日本岩手北上Fab2晶圆厂生产，延续了BiCS8时代导入的CMOS直接键合到阵列 (CBA) 和节距选通 (OPS) 两大新技术

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