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万亿芯片工厂投资在路上，科创芯片设计ETF国联安588780涨超3%
日期: 2026-06-30 10:38来源: 东方财富证券域名: finance.eastmoney.com
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重要性：背景级 · 53·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:半导体、sector:芯片、sector:存储、sector:AI、sector:数据中心、sector:证券·来源/栏目：东方财富·抓取时间：2026-06-30 10:39:01·信任分层：优先源
截至2026年6月30日10:04，科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨3.21%，盘中换手11.27%，成交1.27亿元，成分股格科微上涨20.02%，翱捷科技上涨15.47%，安凯微上涨11.75%，艾为电子，灿芯股份等个股跟涨。
消息面上，近日，全球“最火”内存ETF——RoundhillMemoryETF（DRAM）进行了调仓，首次纳入A股存储芯片巨头兆易创新，权重为2.91%，为该ETF的第8大重仓股。RoundhillMemoryETF是全球首款专门聚焦于计算机存储与数据存储行业的纯主题型ETF。
6月29日，韩国政府宣布迄今最大规模的半导体与AI投资计划，将半导体、物理AI与AI数据中心定位为产业升级的“三角支柱”。三星和SK海力士将在西南部投资约800万亿韩元建设四座芯片工厂，目标五年内将DRAM产能翻倍