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中金：核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级
日期: 2026-06-30 07:57来源: 财联社电报域名: cls.cn
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重要性：背景级 · 50·对象槽：unmatched·对象关系：sector_transmission·影响对象：sector:半导体、sector:AI、sector:算力、sector:数据中心、stock:半导体·来源/栏目：财联社·抓取时间：2026-06-30 08:12:02·信任分层：优先源
【中金：核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级】财联社6月30日电，中金指出，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。
中金认为，SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代